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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
40
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2125
3318
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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