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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2125
3372
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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