RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparar
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
30
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2510
2234
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link