RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparar
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2510
2288
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link