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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1489
2690
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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