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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
43
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
43
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1906
2501
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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