RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
3606
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link