RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
139
Por volta de 81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
139
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1152
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link