RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
2855
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link