RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
27
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
20
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
3395
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link