RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
2763
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link