RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1338
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link