RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Comparar
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.9
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
14.4
10.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3271
2490
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link