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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
65
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2041
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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