RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3448
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link