RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3125
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link