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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3680
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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