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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3819
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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