RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2326
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link