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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
93
Por volta de 71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
93
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
1670
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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