RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.5
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2229
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link