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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Comparar
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Pontuação geral
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1540
3113
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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