RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
6.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.4
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2003
1891
Kingston HP698651-154-MCN 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link