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Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Comparar
Kingston HX316C10F/4 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Kingston HX316C10F/4 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
67
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
34
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1247
2800
Kingston HX316C10F/4 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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