RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparar
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
69
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
4.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
38
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
4.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1116
2841
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link