RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Comparar
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
69
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
4.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
27
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
4.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1116
3491
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905428-073.A00LF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link