RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2858
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link