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Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Razões a considerar
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
3463
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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