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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Razões a considerar
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2739
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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