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Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2417
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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