RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
3110
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link