RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2148
2312
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link