RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2348
2417
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link