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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.7
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2726
3505
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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