RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparar
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
68
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
68
Velocidade de leitura, GB/s
15.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.7
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2815
2007
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link