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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
32
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
32
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3084
3171
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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