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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
60
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
14900
Por volta de 1.72 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
28
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
9.5
Largura de banda de memória, mbps
14900
25600
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
2932
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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