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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
60
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
31
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
2354
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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