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Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Kingston KP223C-ELD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2137
2427
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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