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Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston KP223C-ELD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2137
2880
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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