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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
16.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2317
3726
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Comparações de RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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