RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparar
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Pontuação geral
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de -58% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2317
1433
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Comparações de RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link