RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparar
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2317
2110
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Comparações de RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link