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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2317
2782
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Comparações de RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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