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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
61
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
2,410.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,230.0
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,410.6
9.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
754
2374
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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