RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
2672
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link