RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
2443
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link