RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
41
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
2621
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link