RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
2488
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link