RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
1989
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link